第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
宜興市委宣傳部消息，中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項目、中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目一期、無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目迎來新進展。
(資料圖片僅供參考)
中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項目
總投資30億美元的中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項目一期已經(jīng)投產(chǎn)，二期部分投產(chǎn)，全部達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)8英寸硅片900萬片、12英寸硅片420萬片的產(chǎn)能。據(jù)不完全統(tǒng)計，“中環(huán)系”已在宜興市投資約500億元。
中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目一期
今年3月開工的總投資59億元的中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目一期，目前正在加快推進建設(shè)，計劃年內(nèi)主體工程封頂，預(yù)計2024年底投產(chǎn)。該項目產(chǎn)品主要用于新能源汽車領(lǐng)域，達產(chǎn)后可新增年產(chǎn)36萬片中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，滿足每年300萬臺新能源汽車或300GW新能源發(fā)電裝機需求。
無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目
總投資103億元的無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目廠房已經(jīng)封頂，預(yù)計年內(nèi)一期竣工投產(chǎn)。去年4月，無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目開工儀式在無錫宜興舉行。該項目建成投產(chǎn)后，將年產(chǎn)4000億只高壓高容多層片式電容器、200萬只氮氧傳感器、1億只汽車傳感器等。
來源：集微網(wǎng)
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。
據(jù)行業(yè)機構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點企業(yè)與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響
第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破
SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術(shù)進展
大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望
GaN材料技術(shù)進展
SiC與GaN器件與下游應(yīng)用
功率器件封裝技術(shù)與材料
新興化合物半導(dǎo)體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業(yè)參觀與考察（重點企業(yè)或園區(qū)）
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應(yīng)用中的機遇與挑戰(zhàn)（題目暫定） ——廈門三安光電有限公司（已定） |
中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局情況（題目暫定） ——中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（已定） |
SiC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望（題目暫定） ——山西爍科晶體有限公司（已定） |
國產(chǎn)碳化硅功率器件機遇和挑戰(zhàn)（題目暫定） ——安徽芯塔電子科技有限公司（已定） |
國產(chǎn)SiC MOSFET發(fā)展要點淺析 ——泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽車半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET解決方案（題目暫定） ——深圳基本半導(dǎo)體有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶體的生長技術(shù)，PVT法及液相法 ——中國電子科技集團公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術(shù)難點 ——上海積塔半導(dǎo)體有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景 ——南方科技大學(xué)（待定） |
氮化鎵同質(zhì)外延功率/射頻器件應(yīng)用與相關(guān)單晶襯底制備技術(shù)的研發(fā)進展 ——東莞中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（待定） |
中國第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈現(xiàn)狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（待定） |
GaN在車用功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 ——蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司（待定） |
*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準。
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中國大陸半導(dǎo)體大硅片項目表（月度更新）
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中國大陸8英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體封測項目表（月度更新）
中國大陸電子特氣項目表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項目表（月度更新）
中國大陸晶圓廠當月設(shè)備中標數(shù)據(jù)表（月度更新）
中國大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進口數(shù)據(jù)表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體大硅片項目地圖（月度更新）
中國大陸8英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體封測項目分布圖（月度更新）
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